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分立半导体
SIR880DP-T1-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SIR880DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:22,994(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.0519
21.0519
10
¥17.515
175.15
100
¥13.5261
1352.61
500
¥11.9102
5955.1
1,000
¥11.30
11300
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
4.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
74 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
64 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SIR880DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 650V 6A SIC SBD
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
3,000:¥10.2152
6,000:查看
参考库存:16294
分立半导体
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥15.0629
1,000:¥11.3678
2,000:查看
参考库存:30685
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN Low AAT 40V 1A Schottky Dual
1:¥8.2264
10:¥7.0173
100:¥5.3901
500:¥4.7686
1,000:¥3.7629
3,000:¥3.7629
参考库存:16261
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 22A DSO-8 OptiMOS 3M
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1359
500:¥5.4353
1,000:¥4.2827
2,500:¥4.2827
参考库存:13863
分立半导体
IGBT 模块 MIPAQ BASE 1200V 100A
1:¥1,287.5333
5:¥1,256.56
10:¥1,225.372
25:¥1,208.2299
参考库存:1430
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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