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分立半导体

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DF200R12KE3

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库存:1,381(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥771.8578
771.8578
5
¥757.6424
3788.212
10
¥723.6068
7236.068
25
¥699.47
17486.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.04 kW
封装 / 箱体
IS5a ( 62 mm )-5
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.9 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
DF200R12KE3HOSA1 SP000100741
单位重量
340 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥249.0407
5:¥237.8198
10:¥230.4409
25:¥211.6942
参考库存:26579
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1,007.5984
2:¥987.7782
5:¥954.8952
10:¥937.7531
参考库存:26584
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60V 1A
1:¥3.0736
10:¥2.2939
100:¥1.243
1,000:¥0.92999
3,000:¥0.80682
参考库存:26589
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 13.8A D2PAK-2 CoolMOS C6
1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.5204
500:¥10.9158
1,000:¥9.0626
参考库存:26594
分立半导体
整流器 UFR,FRR
1:¥140.459
10:¥127.6335
25:¥118.1076
50:¥111.7231
参考库存:26599
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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