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分立半导体

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FP35R12W2T4

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库存:5,523(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥410.4047
410.4047
5
¥401.3308
2006.654
10
¥382.9683
3829.683
25
¥366.911
9172.775
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
54 A
封装 / 箱体
EASY2B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
56.7 mm
宽度
62.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
15
子类别
IGBTs
零件号别名
FP35R12W2T4BOMA1 SP000307559
单位重量
39 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET UNIFET2 500V
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.9777
500:¥5.2884
参考库存:7155
分立半导体
SCR模块 Input Modules - MAP COMPRESSED
1:¥2,598.3446
参考库存:4492
分立半导体
整流器 Rectifier Diode Module 1200V 171A
1:¥1,017.0565
5:¥997.0781
10:¥950.5899
25:¥930.6115
参考库存:4499
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A 60V
1:¥8.6106
10:¥7.3111
100:¥5.6048
500:¥4.9607
参考库存:15371
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - TO-247-e3
1:¥37.7307
10:¥31.2784
100:¥25.7414
250:¥24.8939
500:¥22.3627
参考库存:6928
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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