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分立半导体

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FP10R12YT3

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库存:5,711(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥385.5108
385.5108
5
¥376.8211
1884.1055
10
¥362.1424
3621.424
25
¥350.4695
8761.7375
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
封装 / 箱体
EASY2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
20
子类别
IGBTs
零件号别名
FP10R12YT3BOMA1 SP000100303
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 40V Vrm 0.1A Io Swiitching Diode
1:¥3.0736
10:¥2.1357
100:¥0.9831
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.64523
参考库存:37087
分立半导体
MOSFET T6 60V LL S08FL DS
1:¥16.9839
10:¥14.4414
100:¥11.526
500:¥10.0683
1,500:¥7.7631
4,500:查看
参考库存:19519
分立半导体
稳压二极管 7.28-7.6V 5mA SOD-323FL; UMD2
1:¥2.147
10:¥1.5029
100:¥0.62263
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.33787
参考库存:32076
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥3.7629
10:¥2.5764
100:¥1.7402
500:¥1.4012
1,500:¥0.9605
4,500:查看
参考库存:4723
分立半导体
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥15.0629
10:¥12.8368
100:¥10.2152
500:¥8.9948
1,000:¥7.458
2,500:¥7.458
参考库存:13380
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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