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分立半导体
HFA3101BZ96参考图片

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HFA3101BZ96

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W MILEL
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库存:39,068(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥73.0771
73.0771
10
¥66.0824
660.824
25
¥63.0088
1575.22
100
¥54.7146
5471.46
2,500
¥39.9568
99892
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
HFA3101
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.03 A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Hex
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 3 V
高度
1.5 mm (Max)
长度
5 mm (Max)
工作频率
10000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
4 mm (Max)
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
10000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.03 A
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
72 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 Std Rectifier
1:¥51.7088
10:¥46.5673
25:¥42.4202
100:¥38.2618
参考库存:3153
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 25W 50V GaN
1:¥615.4884
25:¥543.869
100:¥480.5551
200:¥451.7401
参考库存:2745
分立半导体
桥式整流器 6A 200V
1:¥6.6896
100:¥5.763
500:¥4.7234
1,000:¥4.1697
参考库存:4762
分立半导体
稳压二极管 6.8V 150Ohms
1:¥3.1527
10:¥1.7515
100:¥0.9379
500:¥0.75258
2,500:¥0.43844
10,000:查看
参考库存:11129
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT - 650V/50A/TO-247A
1:¥60.7827
10:¥54.6355
25:¥49.7878
50:¥46.1831
参考库存:42260
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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