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分立半导体

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BSM75GB120DN2

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库存:8,462(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥694.3285
694.3285
5
¥681.5708
3407.854
10
¥650.9139
6509.139
25
¥629.1614
15729.035
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
320 nA
Pd-功率耗散
625 W
封装 / 箱体
Half Bridge1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM75GB120DN2HOSA1 SP000095923
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:5803
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 FRD 1A 600V
1:¥4.1471
10:¥3.4239
100:¥2.0792
700:¥1.6159
2,100:¥1.3786
参考库存:19985
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45 V 100 mA
1:¥1.1526
10:¥1.11418
100:¥0.39211
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:170857
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 30V 1A 5PIN
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4012
参考库存:12199
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SWITCH 430V 20A 3PIN
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.232
参考库存:41538
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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