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分立半导体
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QPD1016

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, DC-1.7 GHz, GaN RF Transistor
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
23.9 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
145 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V to 1.5 V
Id-连续漏极电流
70 A
输出功率
680 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
714 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-2
配置
Single
工作频率
DC to 1.7 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1016EVB01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGF15JT-E3/45
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暂无价格
参考库存:38878
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IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A
1:¥1,217.1456
5:¥1,187.7882
10:¥1,158.363
25:¥1,142.0684
参考库存:8244
STP13NM60N
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
1:¥28.1257
10:¥23.8995
100:¥20.7468
250:¥19.6733
参考库存:13106

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