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分立半导体
A2V09H525-04NR6参考图片

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A2V09H525-04NR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H525-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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数量单价合计
150
¥1,026.3564
153953.46
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
18.9 dB
输出功率
120 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4
封装
Reel
工作频率
720 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935330045528
单位重量
5.324 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DRA5143Y0L
Panasonic
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:28077
VS-305URA250
Vishay Semiconductors
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 2500 Volt 300 Amp
12:¥867.3654
36:¥849.1611
60:¥837.0927
108:¥806.7409
参考库存:28082
DRA3123J0L
Panasonic
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
10,000:¥0.56839
20,000:¥0.53788
参考库存:28087
SC8673010L
Panasonic
分立半导体
MOSFET 30V Dual N-ch Power MOSFET 6.15x5.1mm
1:¥19.5942
10:¥15.9104
100:¥12.6786
500:¥11.1418
1,000:¥9.2208
3,000:¥9.2208
参考库存:28092
IRFIBC40GLCPBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1,000:¥17.5941
3,000:¥16.6788
5,000:¥16.0573
参考库存:28097

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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