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分立半导体
MT3S113P(TE12L,F)参考图片

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MT3S113P(TE12L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1.6W
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库存:41,292(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.0681
60.681
100
¥4.6669
466.69
500
¥4.1132
2056.6
1,000
¥3.2544
3254.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MT3S113P
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
5.3 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-62-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
7.7 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
1.6 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
50 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 IGBT 3300V 1000A
1:¥11,753.9097
5:¥11,565.9568
参考库存:2502
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 728-2700 MHz 1.26 W Avg. 28 V
1:¥100.0502
10:¥92.0498
25:¥87.9818
100:¥77.6875
参考库存:4939
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP+NPN 5A 30V
1:¥6.0681
10:¥5.0172
100:¥3.2318
1,000:¥2.5877
3,000:¥2.5877
参考库存:16961
分立半导体
SCR TAPE13 THY-GP
1:¥6.4523
10:¥5.1528
100:¥3.3222
1,000:¥2.6555
2,500:¥2.2487
参考库存:19003
分立半导体
PIN 二极管 Ct=.03pF Rs=7 Ohm Trise=2ns
100:¥21.6734
200:¥19.5942
500:¥17.5941
1,000:¥14.3736
参考库存:14505
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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