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分立半导体
FDMD8260L参考图片

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FDMD8260L

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库存:10,578(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.2836
22.2836
10
¥18.9049
189.049
100
¥16.3624
1636.24
250
¥15.5262
3881.55
3,000
¥11.1418
33425.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-12
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
8.7 mOhms, 8.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
49 nC, 49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
37 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
Power Clip
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
5 mm
系列
FDMD8260L
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
11 ns, 11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns, 10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns, 47 ns
典型接通延迟时间
12 ns, 12 ns
单位重量
82.320 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 RECOMMENDED ALT 755-EMH61T2R
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:33710
分立半导体
整流器 GEN PURP RECTIFIER 2A, 1000V
1:¥3.5369
10:¥1.9436
100:¥0.92999
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:33062
分立半导体
MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 3nC Qg, PQFN 3.3x3.3
1:¥4.7686
10:¥3.9663
100:¥2.5538
1,000:¥2.0566
4,000:¥2.0566
参考库存:28689
分立半导体
MOSFET 40V NChnl LogicLevel Power Trench MOSFET
1:¥8.0682
10:¥6.9269
100:¥5.3223
500:¥4.6895
3,000:¥3.2883
9,000:查看
参考库存:95131
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
9,000:¥0.86106
参考库存:36143
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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