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分立半导体
SQD50P08-28_GE3参考图片

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SQD50P08-28_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified
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库存:40,474(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.2891
19.2891
10
¥16.0573
160.573
100
¥12.4526
1245.26
500
¥10.8367
5418.35
2,000
¥8.3733
16746.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
48 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
145 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A
1:¥7.2207
10:¥6.1811
100:¥4.746
500:¥4.1923
1,000:¥3.3109
4,000:¥3.3109
参考库存:68158
分立半导体
MOSFET U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
1:¥4.2262
10:¥3.5369
100:¥1.9436
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.3334
9,000:¥1.03734
参考库存:205885
分立半导体
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
1:¥65.1558
10:¥58.9408
25:¥56.1723
100:¥48.7934
参考库存:19097
分立半导体
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥15.5262
10:¥12.9046
100:¥9.9892
500:¥8.7575
1,000:¥7.2433
3,000:¥7.2433
参考库存:97444
分立半导体
肖特基二极管与整流器 8A, 60V,TRENCH SKY RECT.
1:¥4.9155
10:¥3.9437
100:¥2.9945
500:¥2.4747
1,000:¥1.9775
1,500:¥1.7854
参考库存:42596
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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