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分立半导体
CSD25480F3参考图片

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CSD25480F3

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 20V P ch MOSFET
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库存:1,018,909(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.6103
26.103
100
¥0.97632
97.632
1,000
¥0.75258
752.58
3,000
¥0.56839
1705.17
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.7 A
Rds On-漏源导通电阻
840 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
700 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PicoStar
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
0.73 mm
系列
CSD25480F3
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
8 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
0.300 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch MOS 7A 650V 45W 1200pF 0.98
1:¥17.4472
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
参考库存:4358
分立半导体
MOSFET Nch+Nch MOS FET
3,000:¥2.9041
参考库存:25320
分立半导体
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.2 mOhms 195A
1:¥37.4256
10:¥31.8095
100:¥27.5833
250:¥26.1256
参考库存:4945
分立半导体
MOSFET N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm
1:¥12.9837
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥7.0738
参考库存:21017
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 100V
1:¥6.4523
10:¥5.3336
100:¥3.4465
700:¥2.7459
参考库存:13714
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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