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分立半导体
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QPD1010

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
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数量单价合计
1
¥157.9062
157.9062
25
¥136.5492
3413.73
100
¥118.1076
11810.76
250
¥109.8812
27470.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
24.7 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
400 mA
输出功率
11 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
13.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Waffle
配置
Single
工作频率
4 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1010-EVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
零件号别名
1132873
单位重量
2.300 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CXT3904 TR
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP
1:¥6.4523
10:¥5.2658
100:¥4.3844
500:¥3.3787
1,000:¥3.0623
参考库存:65850
2N6341G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25A 150V 200W NPN
1:¥93.0555
10:¥85.5975
20:¥82.0606
100:¥72.3087
参考库存:3777
SDB204-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
桥式整流器 2A 400V SGL Phase Bridge Rectifier
1:¥4.7686
10:¥3.4465
100:¥2.5538
500:¥2.1696
1,500:¥1.4238
9,000:查看
参考库存:14519
RS1KB-13-F
Diodes Incorporated
分立半导体
整流器 1.0A 800V
1:¥2.8476
10:¥2.147
100:¥1.1639
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.75258
9,000:¥0.70738
参考库存:27461
PEMD3,315
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TransDigital BJT NPN PNP 50V 200mW
1:¥2.9154
10:¥1.9436
100:¥0.81473
1,000:¥0.5537
8,000:¥0.36838
24,000:查看
参考库存:33698

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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