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分立半导体
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2N5963

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30Vcbo 30Vceo 7.0Vebo 50mA 625mW
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.9041
29.041
100
¥1.8306
183.06
1,000
¥1.3673
1367.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.2 V
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N5961
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
50 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
900 at 10 uA, 5 V
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
零件号别名
2N5963 PBFREE
单位重量
206 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 200V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr IC
1:¥10.0683
10:¥8.9948
25:¥8.1473
100:¥7.0738
2,500:¥4.068
5,000:查看
参考库存:23849
分立半导体
MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.5823
500:¥6.7009
800:¥5.2997
参考库存:6941
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW-NOISE AMPLIFIER
1:¥3.2318
10:¥2.6329
100:¥1.6046
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
参考库存:39763
分立半导体
MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥22.6678
10:¥19.2891
100:¥16.6788
250:¥15.8313
500:¥14.2154
800:¥14.2154
参考库存:12840
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ
1:¥21.8994
10:¥17.5941
100:¥16.0573
250:¥14.4414
参考库存:2842
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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