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分立半导体
MRF1K50H-TF3参考图片

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MRF1K50H-TF3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF3/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1
¥7,203.75
7203.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
36 A
Vds-漏源极击穿电压
135 V
增益
23.7 dB
输出功率
1.5 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230H-4S
工作频率
1.8 MHz to 500 MHz
系列
MRF1K50H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
33.5 S
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.667 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935337278598
单位重量
613 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A,100V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER, ISOLATED
1:¥7.6049
10:¥6.6896
25:¥6.0681
100:¥5.2884
2,000:¥2.7572
4,000:查看
参考库存:22800
分立半导体
整流器 1A,100V, G.P. HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
1:¥5.4579
10:¥4.9155
100:¥3.2318
1,000:¥1.07576
1,800:¥0.89157
参考库存:22805
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SiC Schottky Barrier Diode; 600V, 8A
1:¥44.5672
10:¥37.8776
100:¥32.883
250:¥31.1993
参考库存:22810
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A,45V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥7.458
10:¥6.6105
25:¥5.9664
100:¥5.2206
800:¥3.1979
2,400:查看
参考库存:22815
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RECOMMENDED ALT 755-VT6Z2T2R
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:22820
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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