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分立半导体
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RGTV60TS65GC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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数量单价合计
1
¥31.6626
31.6626
10
¥26.894
268.94
100
¥23.3571
2335.71
250
¥22.1254
5531.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
194 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTV60TS65
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PBHV9040TVL
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
1:¥3.3787
10:¥2.7459
100:¥1.6724
1,000:¥1.2995
10,000:¥1.02943
20,000:查看
参考库存:53231
ZVN4206GTA
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
参考库存:11688
ZTX653STZ
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:33185
IPN70R1K4P7SATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET CONSUMER
1:¥4.3844
10:¥3.6386
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.469
参考库存:33222
STD100N10LF7AG
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 5 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥18.1365
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.8367
参考库存:15689

  • 海量现货

    50万现货SKU

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