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分立半导体
FGH40T65SPD-F085参考图片

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FGH40T65SPD-F085

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数量单价合计
1
¥35.8888
35.8888
10
¥30.51
305.1
100
¥26.4307
2643.07
250
¥25.1312
6282.8
500
¥22.5096
11254.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
267 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH40T65SP_F085
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH40T65SPD_F085
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC5086-O,LF
Toshiba
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥1.1639
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
参考库存:112203
PMEG2005ESFYL
Nexperia
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20V 0.5A MEGA Schottky
1:¥2.4634
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
9,000:¥0.30736
18,000:查看
参考库存:63080
BAV99QAZ
Nexperia
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 BAV99QA/DFN1010D-3/REEL 7" Q2/
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
5,000:¥0.30736
参考库存:41272
SS14HE
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V 1A Schottky Barrier Rectifier
1:¥3.4578
10:¥2.2374
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.56048
参考库存:62084
CUS05S30,H3F
Toshiba
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Single High-speed switching
1:¥2.5312
10:¥1.6385
100:¥0.68365
1,000:¥0.46895
3,000:¥0.35369
参考库存:232131

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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