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分立半导体
SCT10N120参考图片

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SCT10N120

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
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库存:5,494(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥82.9081
82.9081
10
¥76.2976
762.976
25
¥73.0771
1826.9275
100
¥64.3874
6438.74
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
HiP-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
HiP247â?¢
封装
Tube
系列
SCT10N120
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
7 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 8A 200P/140R
1:¥13.2888
10:¥12.0684
50:¥10.7576
100:¥9.6841
参考库存:8187
分立半导体
MOSFET N-Channel MOSFET, SOP-8 package
1:¥5.1528
10:¥4.3731
100:¥3.277
500:¥2.4069
4,000:¥1.6498
8,000:查看
参考库存:19849
分立半导体
桥式整流器 0.5A,200V,MINI SMD GP FR BRIDGE REC.
1:¥4.068
10:¥3.4578
100:¥2.5764
500:¥1.8984
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.3108
参考库存:15481
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DFN 100mA 40V Sm. Sgnl. Schottky
1:¥2.9154
10:¥1.921
100:¥0.86784
1,000:¥0.5537
5,000:¥0.41471
参考库存:24283
分立半导体
整流器 2A, 200V, SUPER FAST SM SMA RECTIFIER
1:¥2.9945
10:¥2.3843
100:¥1.6159
500:¥1.11418
1,800:¥0.7458
9,000:查看
参考库存:21640
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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