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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	18 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	170 mA
输出功率	2.4 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	2.9 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.2 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113824

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
1N4736G R0	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 1W,6V8,5%,ZENER	20,000:¥0.31527 45,000:¥0.29945 100,000:¥0.26103	参考库存:35144
S1MLWHRQG	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 1A, 1000V Surface Mount Standard 整流器	20,000:¥0.36838 50,000:¥0.32996 100,000:¥0.30736	参考库存:35149
CMZ5919B BK	Central Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 5.6V 1.5W 5% Zener Single Diode	2,400:¥2.7459 3,200:¥2.3165 10,400:¥2.2261 25,600:¥2.147	参考库存:35154
MURTA30040	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 400V 300A Si Super Fast Recovery	18:¥864.45 36:¥824.109 54:¥807.1251 108:¥778.0841	参考库存:35159
GBPC1506T	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	桥式整流器 600 V - 15 A	1,000:¥15.9104 2,500:¥15.142 5,000:¥14.2154	参考库存:35164