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分立半导体
STP45N60DM2AG参考图片

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STP45N60DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
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库存:5,648(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.7251
38.7251
10
¥32.883
328.83
100
¥28.5099
2850.99
250
¥27.0522
6763.05
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
34 A
Rds On-漏源导通电阻
93 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
56 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
高度
4.6 mm
长度
15.75 mm
产品
Power MOSFET
系列
STP45N60DM2AG
类型
High Voltage
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
29 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 300 Volt 8.0A 35ns 110 Amp IFSM
1:¥9.5259
10:¥7.8422
100:¥6.0116
500:¥5.1754
800:¥4.5313
参考库存:45580
分立半导体
整流器 200 Volt 10 Amp 25ns Dual 55 Amp IFSM
1:¥9.9101
10:¥8.2264
100:¥6.2602
500:¥5.3901
1,000:¥4.7234
参考库存:45585
分立半导体
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
1:¥4.4522
10:¥3.7516
100:¥2.4182
1,000:¥1.9323
2,500:¥1.9323
参考库存:45595
分立半导体
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.7631
500:¥6.8365
3,000:¥5.2771
6,000:查看
参考库存:45600
分立半导体
整流器 1 Amp 600 Volt 30 Amp IFSM
1:¥4.0002
10:¥2.7233
100:¥1.8419
500:¥1.4803
1,500:¥1.01474
4,500:查看
参考库存:45605
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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