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分立半导体
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CSD18543Q3AT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V N CH MOSFET
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库存:70,548(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.6048
56.048
100
¥4.3166
431.66
250
¥4.3166
1079.15
500
¥3.8081
1904.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
66 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.15 mm
系列
CSD18543Q3A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
40 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
27.700 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC DIODES
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥15.0629
参考库存:6947
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
1:¥24.747
10:¥21.0519
100:¥18.2156
250:¥17.289
参考库存:4799
分立半导体
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
5,000:¥6.8026
10,000:查看
参考库存:60761
分立半导体
整流器 800V 20A Fast Recovery
1:¥89.2926
10:¥81.1453
25:¥75.0772
50:¥71.077
参考库存:2098
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS 41V-60V
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
2,500:¥6.1359
参考库存:14570
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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