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分立半导体
STP100N8F6参考图片

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STP100N8F6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 80 V, 0.008 Ohm typ., 100 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package
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库存：12,153(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.5259
9.5259
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2489
624.89
500
¥5.5257
2762.85
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
176 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STP100N8F6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
103 ns
典型接通延迟时间
33 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSS138BK,215
Nexperia
分立半导体
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
1:¥2.6103
10:¥1.7402
100:¥0.72998
1,000:¥0.49946
3,000:¥0.39211
参考库存:798265
FZ600R17KE4
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT Module 600A 1700V
1:¥1,219.6768
5:¥1,190.4098
10:¥1,160.8264
25:¥1,144.5318
参考库存:4387
VN10LP
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET N Chnl. 60V
1:¥5.989
10:¥5.0285
100:¥3.2431
1,000:¥2.599
参考库存:57254
GBU10B-BP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
桥式整流器 100V,10A
1:¥13.3679
10:¥12.0684
25:¥10.7576
100:¥9.6841
参考库存:14256
BSH103,215
Nexperia
分立半导体
MOSFET N-CH 30V 0.85A
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:788093

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

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