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分立半导体
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FDB0165N807L

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数量单价合计
1
¥43.957
43.957
10
¥37.3465
373.465
100
¥32.431
3243.1
250
¥30.736
7684
800
¥23.278
18622.4
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
310 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
217 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.7 mm
长度
10.2 mm
系列
FDB0165N807L
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
136 S
下降时间
64 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
104 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
123 ns
典型接通延迟时间
68 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PSMN0R7-25YLDX
Nexperia
分立半导体
MOSFET PSMN0R7-25YLD/4 LEADS/REEL 7
1:¥13.8312
10:¥11.752
100:¥9.379
500:¥8.2264
1,000:¥6.8478
1,500:¥6.8478
参考库存:35421
BC848-T
Rectron
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Ep Trans NPN,0.1A,30V
1:¥0.92208
25:¥0.7684
100:¥0.72998
250:¥0.65314
3,000:¥0.39211
6,000:查看
参考库存:13743
BY448TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 2.0 Amp 1500 Volt 30 Amp IFSM
1:¥5.1528
10:¥3.8872
100:¥2.8928
500:¥2.373
5,000:¥1.5594
10,000:查看
参考库存:190420
STGWT40V60DF
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥36.1939
10:¥30.736
100:¥26.668
250:¥25.2781
参考库存:4217
APL502J
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power MOSFET - Linear
1:¥524.0488
2:¥513.6754
5:¥508.0706
10:¥492.1602
参考库存:4929

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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