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分立半导体
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CSD19535KTTT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-Channel NexFET Power MOSFET
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库存:12,682(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.7414
25.7414
10
¥23.2102
232.102
50
¥23.2102
1160.51
100
¥18.984
1898.4
250
¥17.7523
4438.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
75 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
19.7 mm
长度
9.25 mm
系列
CSD19535KTT
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.26 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
301 S
下降时间
15 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A Schottky 60Vrrm 0.53Vf 0.06mA
1:¥2.9945
10:¥2.1244
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.63732
参考库存:17528
分立半导体
MOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
1:¥15.7522
10:¥13.3679
100:¥10.6785
500:¥9.379
1,000:¥7.7631
5,000:¥7.7631
参考库存:104015
分立半导体
稳压二极管 2.4Volt 0.35Watt 2% AUTO
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:54032
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS SW TAPE-7
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
2,000:¥0.99892
参考库存:5989
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP -50V -0.1A 2.2kO SOT-323
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:33836
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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