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分立半导体
DMN7022LFGQ-13参考图片

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DMN7022LFGQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
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库存:16,514(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥6.215
62.15
100
¥4.7686
476.86
500
¥4.2149
2107.45
1,000
¥3.3335
3333.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
14.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
56.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
3.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19.6 ns
典型接通延迟时间
6.1 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管
1:¥227.9888
5:¥217.7623
10:¥210.9258
25:¥193.8628
参考库存:31538
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.0736
10:¥2.6103
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
2,000:¥1.05316
参考库存:31543
分立半导体
IGBT 模块 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
1:¥21.131
10:¥17.8992
100:¥14.3736
500:¥12.5204
800:¥10.3734
参考库存:31548
分立半导体
达林顿晶体管 AF TRANSISTORS
1:¥3.616
10:¥3.0171
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
2,000:¥1.2091
参考库存:31553
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
1:¥538.8744
5:¥522.512
10:¥507.144
25:¥475.4136
参考库存:31558
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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