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分立半导体
DMT34M1LPS-13参考图片

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DMT34M1LPS-13

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库存:45,595(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.4182
241.82
1,000
¥1.9323
1932.3
2,500
¥1.9323
4830.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
11.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22.4 ns
典型接通延迟时间
5.6 ns
单位重量
97 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 12 Amp 100 Volt
1:¥7.7631
10:¥6.3845
100:¥4.9042
500:¥4.2149
1,000:¥3.3222
1,500:¥3.3222
参考库存:74334
分立半导体
MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.0684
1,000:¥9.9892
参考库存:14296
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥167.6694
10:¥162.9008
100:¥149.9962
250:¥143.4648
参考库存:6113
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SiC, SBD 650V 12A DPAK
1:¥38.0358
10:¥32.2728
100:¥27.9675
250:¥26.5889
1,000:¥20.0575
2,000:查看
参考库存:9680
分立半导体
MOSFET MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC Qg
1:¥16.3624
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.6841
1,000:¥8.0682
参考库存:12162
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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