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分立半导体
DMN3012LDG-7参考图片

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DMN3012LDG-7

  • Diodes Inc. / Pericom
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 1K
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库存:12,453(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.6785
10.6785
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.0286
702.86
500
¥6.215
3107.5
1,000
¥4.9042
4904.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms, 6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 750 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6.1 nC, 12.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
27 S, 46 S
下降时间
2.3 ns, 2.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.7 ns, 3.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.4 ns, 12.4 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns, 4.4 ns
单位重量
44 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥5.6839
10:¥4.3957
100:¥3.8533
500:¥3.4465
3,000:¥1.8645
9,000:查看
参考库存:37378
分立半导体
SCR Dual P Gate Forward Conducting
1:¥11.30
10:¥8.9948
100:¥6.9269
500:¥6.1246
2,500:¥4.3844
10,000:查看
参考库存:80865
分立半导体
MOSFET U-MOSVIII-H 60V 71A 38nC MOSFET
1:¥12.0684
10:¥9.7632
100:¥7.7631
500:¥6.7913
5,000:¥5.0511
10,000:查看
参考库存:22562
分立半导体
SCR 55A 400V
1:¥30.6569
10:¥24.6679
100:¥22.5096
250:¥20.2835
500:¥17.8314
参考库存:12489
分立半导体
JFET JFET N-Channel -40V 50mA 300mW 2mW
1:¥98.7394
10:¥83.0663
100:¥76.4558
250:¥69.6984
参考库存:5001
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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