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分立半导体
PD85025-E参考图片

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PD85025-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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库存:42,248(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥220.0675
220.0675
5
¥217.8414
1089.207
10
¥203.0158
2030.158
25
¥193.8628
4846.57
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
15.7 dB
输出功率
25 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
9.4 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD85025-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
7.5 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 225MW 40V
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:49446
分立半导体
桥式整流器 400 Volt 4.0 Amp Glass Passivated
1:¥12.3735
10:¥10.2943
100:¥7.9891
500:¥6.9947
1,000:¥5.7969
参考库存:9843
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
1:¥31.5044
10:¥26.7358
100:¥23.2102
250:¥21.9785
500:¥19.7524
参考库存:5925
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH CURRENT HIGH PERFORMANCE LOW VOLTAGE PNP TRANSISTOR
1:¥4.3844
10:¥3.5821
100:¥2.1809
1,000:¥1.695
2,500:¥1.4464
参考库存:34622
分立半导体
MOSFET -8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.3053
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.5707
参考库存:38319
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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