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分立半导体
STP12N120K5参考图片

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STP12N120K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
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数量单价合计
1
¥70.4668
70.4668
10
¥63.619
636.19
25
¥60.7036
1517.59
100
¥52.7145
5271.45
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
620 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
44.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
STP12N120K5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
18.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68.5 ns
典型接通延迟时间
23 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S8008L
Littelfuse
分立半导体
SCR 8A 800V
1:¥13.5261
10:¥10.9158
100:¥8.6784
500:¥7.6501
1,000:¥6.3393
参考库存:1634
BZX384B4V3-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 4.3 Volt 0.2W 2%
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
10,000:¥0.26894
20,000:查看
参考库存:103466
BZX584C3V3-V-G-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管
1:¥3.1527
10:¥1.7741
100:¥0.95259
500:¥0.76049
3,000:¥0.49155
6,000:查看
参考库存:45443
FS200R07N3E4R
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块
1:¥1,285.6914
5:¥1,254.7972
10:¥1,223.5979
25:¥1,206.4671
参考库存:1800
SBR30A45CT
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30A 45V
1:¥14.5205
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6784
1,000:¥7.1303
参考库存:1947

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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