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分立半导体
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PD85015TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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数量单价合计
1
¥156.9118
156.9118
5
¥155.2959
776.4795
10
¥144.7643
1447.643
25
¥138.2329
3455.8225
600
¥112.2655
67359.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
16 dB
输出功率
15 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD85015-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
59 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BD435S
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.8364
10:¥3.955
100:¥2.4182
1,000:¥1.8645
参考库存:14099
CSD83325LT
Texas Instruments
分立半导体
MOSFET 12V Dual N ch MOSFET
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9041
250:¥2.9041
1,000:¥2.3278
参考库存:7821
PBSS5260PAP,115
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 2A PNP/PNP lo VCEsat transistor
1:¥3.6838
10:¥3.051
100:¥1.8645
1,000:¥1.4351
3,000:¥1.2317
参考库存:30903
DDZ9703S-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 200MW 16V
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:34115
1N4740DGE3
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
1:¥85.5975
10:¥77.7666
25:¥72.0036
50:¥68.0825
参考库存:4387

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    明码标价节省时间成本

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