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分立半导体
PD85035S-E参考图片

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PD85035S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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库存:48,885(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥254.1822
254.1822
5
¥251.5719
1257.8595
10
¥234.4411
2344.411
25
¥223.9095
5597.7375
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14.9 dB
输出功率
35 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD85035-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳流二极管
100:¥85.8348
200:¥78.2186
500:¥73.224
1,000:¥67.1559
参考库存:44310
分立半导体
稳压二极管
100:¥30.1936
260:¥30.1936
500:¥27.12
1,000:¥22.8938
2,500:¥21.7412
参考库存:44315
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
105:¥74.9981
250:¥68.93
500:¥62.8506
1,000:¥54.7146
参考库存:44320
分立半导体
稳压二极管
100:¥39.7308
180:¥39.7308
200:¥36.499
500:¥33.2672
1,000:¥28.9732
参考库存:44325
分立半导体
稳压二极管
131:¥59.777
250:¥54.9406
500:¥50.1042
1,000:¥43.6406
参考库存:44330
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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