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分立半导体
FQD6N60CTM-WS参考图片

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FQD6N60CTM-WS

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库存:24,297(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9102
11.9102
10
¥10.1474
101.474
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.8817
3440.85
1,000
¥5.4353
5435.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
80 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
45 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
FQD6N60CTM_WS
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双向可控硅 RAIL TRIAC
1:¥6.9947
10:¥5.6048
100:¥3.616
1,000:¥2.8928
参考库存:43514
分立半导体
双向可控硅 RAIL TRIAC
5,000:¥1.8193
10,000:¥1.7515
25,000:¥1.6837
50,000:¥1.6611
参考库存:43519
分立半导体
双向可控硅 800V 25A 80-80-80mA
1:¥33.1203
10:¥26.5889
100:¥24.2046
250:¥21.8203
500:¥19.5942
参考库存:3350
分立半导体
IGBT 晶体管 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥33.7305
10:¥28.6568
100:¥24.8148
250:¥23.5944
参考库存:3252
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥8.5315
10:¥7.2433
100:¥5.5709
500:¥4.9155
1,000:¥3.8872
2,500:¥3.8872
参考库存:11379
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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