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分立半导体
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R5011ANX

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Silicon N-channel MOSFET, 10V Drive, N-Channel, Contains G-S protection diode, Low on-resistance, Fast switching, Wide SOA
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1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.5316
105.316
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.1303
3565.15
1,000
¥5.6274
5627.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
59 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
R5011ANX
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
26 ns
零件号别名
R5011ANX
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT03D82-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 82 Volt 600W 10%
25,000:¥1.5368
参考库存:39526
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100:¥909.0172
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分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥722.7593
参考库存:39546

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    50万现货SKU

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