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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	UnitedSiC
产品种类	肖特基二极管与整流器
RoHS	是
产品	Schottky Silicon Carbide Diodes
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220-2
If - 正向电流	4 A
Vrrm - 重复反向电压	650 V
Vf - 正向电压	1.5 V at 4 A
Ifsm - 正向浪涌电流	29 A
配置	Single
技术	SiC
Ir - 反向电流	0.7 uA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
系列	UJ3D
资格	AEC-Q101
封装	Tube
商标	UnitedSiC
Pd-功率耗散	71.4 W
产品类型	Schottky Diodes & Rectifiers
工厂包装数量	50
子类别	Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压	650 V

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ETT580N16P60HPSA1	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	分立半导体模块	1:¥1,500.527 5:¥1,464.4122 10:¥1,428.0714 25:¥1,408.0139	参考库存:4702
ZVN4306GTA	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Chnl 60V	1:¥10.0683 10:¥8.6106 100:¥6.6105 500:¥5.8421 1,000:¥4.6104	参考库存:19574
BSZ060NE2LS	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS	1:¥5.537 10:¥4.6217 100:¥2.9832 1,000:¥2.3843 5,000:¥2.0114	参考库存:28261
BSC020N03LSGATMA1	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3	1:¥11.0627 10:¥9.4468 100:¥7.2885 500:¥6.441 1,000:¥5.085 5,000:¥4.8364	参考库存:54133
STW11NM80	STMicroelectronics	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh	1:¥46.0249 10:¥41.5727 25:¥39.6517 100:¥34.4198	参考库存:7675