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分立半导体
BSM50GB120DN2参考图片

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BSM50GB120DN2

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库存:29,373(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥580.4471
580.4471
5
¥569.7686
2848.843
10
¥555.0108
5550.108
25
¥544.1063
13602.6575
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
78 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
400 W
封装 / 箱体
Half Bridge1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GB120DN2HOSA1 SP000095922
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 18 Amp 100 Volt
1:¥12.0684
10:¥9.9892
100:¥7.7631
500:¥6.7687
800:¥5.6048
参考库存:17500
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 13.6V 15W LDMOST family
1:¥180.0316
5:¥178.1897
10:¥166.0535
25:¥158.5955
参考库存:3307
分立半导体
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥13.6052
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.1473
1,000:¥6.6896
2,500:¥6.2263
参考库存:26774
分立半导体
MOSFET 40V 85A 3.3mOhm 65nC StrongIRFET
1:¥10.5316
10:¥8.9157
100:¥6.9043
500:¥6.102
1,000:¥4.8138
4,000:¥4.8138
参考库存:55006
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Current
1:¥6.9947
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
参考库存:9008
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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