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分立半导体
HGTG40N60B3参考图片

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HGTG40N60B3

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库存:31,290(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥89.5186
89.5186
10
¥82.2979
822.979
25
¥78.9192
1972.98
100
¥69.5402
6954.02
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
290 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG40N60B3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG40N60B3_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥136.9334
250:¥125.6334
500:¥119.5653
参考库存:48584
分立半导体
稳压二极管
100:¥150.6064
200:¥138.2329
500:¥131.5546
参考库存:48589
分立半导体
稳压二极管
100:¥146.6853
200:¥134.6282
500:¥128.0968
参考库存:48594
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥101.7339
250:¥92.7504
500:¥86.7501
1,000:¥79.5294
参考库存:48599
分立半导体
稳压二极管
100:¥123.6333
200:¥112.7288
500:¥105.429
参考库存:48604
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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