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分立半导体
TK4R3E06PL,S1X参考图片

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TK4R3E06PL,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W
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数量单价合计
1
¥15.2889
15.2889
10
¥12.2944
122.944
100
¥9.831
983.1
500
¥8.6106
4305.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
106 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
48.2 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
87 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT52C75S RR
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener diode 75v, 200mW 5%
1:¥1.8419
10:¥1.695
100:¥0.94468
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.30736
参考库存:57001
BZX84C3V3 RFG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener diode 3,3v, 350mW
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.80682
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.28476
参考库存:57006
BZT52C18S RRG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener diode 18v, 200mW 5%
1:¥1.8419
10:¥1.695
100:¥0.94468
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.30736
参考库存:57011
MTZJ24SB R0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 zener 500mW 24V
1:¥1.695
10:¥1.4577
100:¥0.9379
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:57016
SK29AHR3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A,90V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥4.3053
10:¥2.9945
100:¥1.9888
500:¥1.1752
1,800:¥0.791
9,000:查看
参考库存:57021

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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