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分立半导体
HN1B04FE-GR,LF参考图片

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HN1B04FE-GR,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
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数量单价合计
1
¥2.4634
2.4634
10
¥1.5707
15.707
100
¥0.65314
65.314
1,000
¥0.44522
445.22
4,000
¥0.33787
1351.48
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V, - 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
100 mV
最大直流电集电极电流
150 mA
增益带宽产品fT
80 MHz, 80 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
HN1B04
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
3 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ETT580N16P60HPSA1
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块
1:¥1,500.527
5:¥1,464.4122
10:¥1,428.0714
25:¥1,408.0139
参考库存:4702
ZVN4306GTA
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:19574
BSZ060NE2LS
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
1:¥5.537
10:¥4.6217
100:¥2.9832
1,000:¥2.3843
5,000:¥2.0114
参考库存:28261
BSC020N03LSGATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2885
500:¥6.441
1,000:¥5.085
5,000:¥4.8364
参考库存:54133
STW11NM80
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
1:¥46.0249
10:¥41.5727
25:¥39.6517
100:¥34.4198
参考库存:7675

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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    4小时快速发货

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