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分立半导体
C3M0280090J参考图片

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C3M0280090J

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
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数量单价合计
1
¥28.0466
28.0466
100
¥26.9731
2697.31
500
¥25.6623
12831.15
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
385 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
18 V, - 8 V
Qg-栅极电荷
9.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
产品
Power MOSFET
类型
Silicon Carbide MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
3.1 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.5 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
10.5 ns
单位重量
1.600 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IDH10SG60CXKSA2
Infineon Technologies
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC DIODES
1:¥48.025
10:¥40.8834
100:¥35.4255
250:¥33.5836
参考库存:2755
NTS260ESFT1G
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A 60V LOW LEAKAGE TRENC
1:¥3.7629
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:65777
1N825A-1E3
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
1:¥52.9405
10:¥42.5671
100:¥38.8042
250:¥35.0413
参考库存:1059
DZ9F5V1S92-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 Zerner Diode Ultra-Small SOD923
1:¥1.921
10:¥1.5481
100:¥0.54579
1,000:¥0.36838
10,000:¥0.36838
参考库存:95576
STPS1L60ZF
STMicroelectronics
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Low Drop Power Schottky Rectifier
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
参考库存:526503

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