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RGTH80TS65GC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 40A Trench IGBT Field Stop TO-247N
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数量单价合计
1
¥26.2838
26.2838
10
¥22.3627
223.627
100
¥19.3682
1936.82
250
¥18.3625
4590.625
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
234 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTH80TS65
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK9219-55A,118
Nexperia
分立半导体
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
10,000:¥2.7233
25,000:¥2.6329
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BT236X-600G,127
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双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS
5,000:¥2.3165
10,000:¥2.2374
25,000:¥2.147
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24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
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MA46H071-1088
MACOM
分立半导体
变容二极管
200:¥96.9766
参考库存:36269

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