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分立半导体
TPH1R204PL,L1Q参考图片

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TPH1R204PL,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR PD=132W
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数量单价合计
1
¥10.5994
10.5994
10
¥8.5315
85.315
100
¥6.5201
652.01
500
¥5.7517
2875.85
5,000
¥4.0341
20170.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
150 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
74 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
132 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
系列
U-MOSIX-H
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
33 ns
单位重量
851 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-GBPC3512A
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 1200 Volt 35 Amp
1:¥49.2567
10:¥42.4202
100:¥36.8041
200:¥35.7306
参考库存:27466
SIS443DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥12.2944
10:¥10.1474
100:¥7.7631
500:¥6.7235
1,000:¥5.2997
3,000:¥5.2997
参考库存:260113
TD250N14KOF
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块 1400V 410A
1:¥1,174.1943
5:¥1,151.1423
10:¥1,097.5012
25:¥1,074.4492
参考库存:3230
DURB1640CT
Littelfuse
分立半导体
整流器 8A 400V Common Cathode
1:¥12.5204
10:¥10.1474
100:¥8.0682
500:¥6.8591
800:¥5.6839
参考库存:6482
IRFP450PBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥25.3572
10:¥20.5886
100:¥18.984
500:¥15.5262
1,000:¥13.221
参考库存:20579

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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