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分立半导体
SUP60030E-GE3参考图片

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SUP60030E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 80V Vds 20V Vgs TO-220
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数量单价合计
1
¥23.6622
23.6622
10
¥19.5942
195.942
100
¥16.1364
1613.64
250
¥15.594
3898.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
141 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
SUP
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
82 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
2.300 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT2X51DC120J
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - SiC
1:¥1,087.3651
5:¥1,060.5502
10:¥1,034.9557
25:¥997.3832
参考库存:3321
TZ500N12KOF
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块 1200V 1050A SINGLE
1:¥1,227.5981
5:¥1,198.0938
10:¥1,168.3522
25:¥1,151.9898
参考库存:3138
BZX84C12-T1
Rectron
分立半导体
稳压二极管 12V
1:¥1.1526
10:¥0.84524
100:¥0.61472
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.35369
参考库存:49335
1N6159AUS
Semtech
分立半导体
稳压二极管 MIL1 500 W BIPOLAR TVS, SQUARE:SQUARE
1:¥164.6636
5:¥157.296
10:¥152.3692
25:¥140.007
参考库存:3302
T835-800B
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 8A Snubberless 双向可控硅
1:¥9.831
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.7065
参考库存:3719

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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