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分立半导体
SSM6L36FE,LM参考图片

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SSM6L36FE,LM

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small-signal MOSFET 2-in-1
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库存：166,925(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
4,000
¥0.5537
2214.8
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
500 mA, 330 mA
Rds On-漏源导通电阻
460 mOhms, 950 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV, 1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V, 8 V
Qg-栅极电荷
1.23 nC, 1.2 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6L36
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns, 200 ns
典型接通延迟时间
30 ns, 90 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S6X8ES1AP
Littelfuse
分立半导体
SCR Sen SCR 600V .8A 5uA
1:¥4.3844
10:¥3.2205
100:¥2.3165
500:¥2.034
2,000:¥1.2995
10,000:查看
参考库存:44223
BZW03C82-TAP
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 82 Volt 20W 6%
1:¥10.9836
10:¥9.0626
100:¥6.9721
500:¥5.989
2,500:¥4.407
5,000:查看
参考库存:44228
VS-MURB820TRR-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 200V 8A IF (TO-263AB) 100A IFSM
1:¥6.6896
10:¥5.5596
100:¥4.2714
500:¥3.6725
800:¥2.8928
参考库存:44233
BZT03C27-TAP
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 27 Volt 600W 6%
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
5,000:¥1.6724
10,000:查看
参考库存:128995
AUIRFR120ZTRL
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 190mOhms
暂无价格
参考库存:44240

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    50万现货SKU

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