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分立半导体
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RSS095N05FU6TB

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数量单价合计
1
¥12.9046
12.9046
10
¥10.9158
109.158
100
¥8.7575
875.75
500
¥7.6501
3825.05
2,500
¥5.8986
14746.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
45 V
Id-连续漏极电流
9.5 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
RSS095N05
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
零件号别名
RSS095N05
单位重量
851 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB042N10N3 G E8187
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2
1,000:¥10.5316
2,000:¥9.831
5,000:¥9.4468
10,000:¥9.0626
参考库存:31517
IPP320N20N3GXKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥15.368
250:¥14.5205
参考库存:7188
SIHP22N60E-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥35.5046
10:¥31.7304
100:¥26.2047
250:¥23.278
500:¥21.4361
参考库存:7195
FF600R17ME4_B11
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode, NTC and PressFIT Contact Technology
1:¥2,314.4999
5:¥2,258.7909
10:¥2,202.6977
25:¥2,171.8035
参考库存:2227
R8002ANJFRGTL
ROHM Semiconductor
分立半导体
MOSFET Nch 800V Vdss 2A ID TO-263(D2PAK); LPTS
1:¥17.063
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
1,000:¥8.3733
参考库存:7199

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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