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分立半导体
AUIRF4104S参考图片

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AUIRF4104S

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 1.4mOhms
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库存:27,422(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.8202
19.8202
10
¥16.8257
168.257
100
¥13.5261
1352.61
500
¥11.8311
5915.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 55 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
77 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
130 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001516518
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 600 V 4 Ohm 2 A SuperMESH3
1:¥7.8422
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
参考库存:33038
分立半导体
MOSFET LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥1.1639
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
参考库存:14490
分立半导体
MOSFET 100V, 40 MOHMS@4.5V
1:¥18.1365
10:¥15.0629
100:¥11.6842
500:¥10.2152
1,000:¥8.4524
3,000:¥8.4524
参考库存:36722
分立半导体
MOSFET MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
1:¥50.4884
10:¥45.6407
25:¥43.4937
100:¥37.7307
参考库存:27349
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SOT-89 3A 200 to 500hFE 30V
1:¥3.6838
10:¥3.0284
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
参考库存:13696
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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