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分立半导体
IPB160N04S3-H2参考图片

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IPB160N04S3-H2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T
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数量单价合计
1
¥19.0518
19.0518
10
¥16.2155
162.155
100
¥12.9837
1298.37
500
¥11.3678
5683.9
1,000
¥9.4468
9446.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
IPB160N04S3H2ATMA1 IPB16N4S3H2XT SP000254818
单位重量
1.600 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTB113ZKT146
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 DIGIT PNP 50V 500MA
1:¥3.4578
10:¥2.4182
100:¥1.11418
1,000:¥0.85315
3,000:¥0.72998
参考库存:46299
IRF820PBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.4184
100:¥4.9268
参考库存:19851
PMBTA45,215
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS NPN 500V 150MA
1:¥2.9945
10:¥2.2826
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
3,000:¥0.79891
参考库存:76313
IRL640PBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET
1:¥13.2888
10:¥11.0627
参考库存:9560
ES1A-13-F
Diodes Incorporated
分立半导体
整流器 50V 1A
1:¥3.616
10:¥2.5199
100:¥1.1639
1,000:¥0.89157
5,000:¥0.76049
参考库存:101422

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    50万现货SKU

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