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分立半导体
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RCD100N19TL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 4V Drive Nch Power MOSFET
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库存：32,961(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.3733
8.3733
10
¥7.0964
70.964
100
¥5.4579
545.79
500
¥4.8251
2412.55
2,500
¥3.3787
8446.75
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
190 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
52 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
85 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
RCD100N19
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
75 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
140 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
RCD100N19
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
Q2016NH3RP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 200V 16A
1:¥19.21
10:¥15.5262
100:¥12.3735
500:¥10.8367
1,000:¥8.9948
参考库存:49270
1N5345B-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
稳压二极管 5.0W 8.7V 10uA 545mA 9.5A
4,000:¥1.04525
8,000:¥0.97632
12,000:¥0.91417
24,000:¥0.84524
参考库存:49275
T201N65TOH
Infineon Technologies
分立半导体
SCR模块 PHASE CONTROL THYRISTOR
1:¥2,998.7601
5:¥2,818.0279
参考库存:8479
SI7390DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.526
3,000:¥11.526
参考库存:23466
KBP206G
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 600V 2A Standard
1:¥5.2206
10:¥4.3957
25:¥3.8533
100:¥3.2996
参考库存:49284

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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