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分立半导体
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BSM25GD120DN2

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数量单价合计
1
¥729.3698
729.3698
5
¥715.9906
3579.953
10
¥683.7178
6837.178
25
¥660.9822
16524.555
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
栅极—射极漏泄电流
180 nA
Pd-功率耗散
200 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM25GD120DN2BOSA1 SP000100370
单位重量
180 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT52C7V5-G RHG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 350mW 5% 7V5
1:¥1.7628
10:¥1.6159
100:¥0.89948
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.29154
参考库存:48417
CZRB5378B-HF
Comchip Technology
分立半导体
稳压二极管 ZENER 5W 100V SMB HALOGEN-FREE
1:¥5.3788
10:¥4.0002
100:¥2.7233
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6046
参考库存:48422
BZT52C22S RRG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener diode 22v, 200mW 5%
1:¥1.8419
10:¥1.695
100:¥0.94468
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.30736
参考库存:48427
BZX84C20 RFG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener diode 20v, 350mW
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.80682
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.28476
参考库存:48432
BZT52B15S RR
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 410mW 2% 15V
1:¥1.8419
10:¥1.6159
100:¥0.91417
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.29154
参考库存:48437

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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