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无线和射频半导体
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CGH40120F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
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¥2,165.8145
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
19 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
12 A
输出功率
120 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440193
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
4.19 mm
长度
20.45 mm
工作频率
1 GHz to 2.5 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
5.97 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGH40120F-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC241ALP3E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
RF 开关 IC GaAs MMIC SP4T Non-Refl Swtch DC
1:¥66.9299
10:¥60.4776
50:¥57.7091
100:¥50.1042
参考库存:11435
HMC742ALP5E
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 dig Variable-Gain
1:¥150.3804
10:¥138.2329
25:¥132.549
100:¥116.7968
参考库存:2817
AT-908(40)
Hirose Connector
无线和射频半导体
衰减器 LP ATTENUATOR 8DB
1:¥166.3586
5:¥157.3638
10:¥150.1431
25:¥143.849
参考库存:25106
SW-262-PIN
MACOM
无线和射频半导体
RF 开关 IC 5-2000MHz IL 1dB Swtch spd 20ns Typ.
1:¥6,035.0927
参考库存:25111
TLC2934IPWR
Texas Instruments
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器 Hi Perf Sngl Phase Locked Loop
1:¥29.9676
10:¥26.9731
100:¥22.0576
250:¥20.6677
2,000:¥15.0629
参考库存:11889

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