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无线和射频半导体
T1G2028536-FS参考图片

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T1G2028536-FS

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
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数量单价合计
1
¥3,903.472
3903.472
25
¥3,597.4228
89935.57
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
36 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
260 W
最大漏极/栅极电压
48 V
最大工作温度
+ 250 C
Pd-功率耗散
288 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2 GHz
产品
RF Power Transistor
系列
T1G
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1110346
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NRF51824-QFAA-T
Nordic Semiconductor
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC BLE 4.2 SOC AEC-Q100 256k Flash
暂无价格
参考库存:30175
MRF1K50GNR5
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50GN/FM4///REEL 13
1:¥1,334.9368
5:¥1,306.7433
10:¥1,278.5385
25:¥1,246.2657
50:¥1,213.9138
参考库存:3339
BGS12PN10E6327XTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
RF 开关 IC
1:¥4.6104
10:¥3.7968
100:¥2.4521
1,000:¥1.9549
7,500:¥1.5933
参考库存:55256
HMC773A-SX
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频混合器 Fundamental Mixer SMT, 6 - 26 GHz
2:¥1,152.826
6:¥1,136.5427
10:¥1,104.1117
26:¥1,047.2501
参考库存:3143
NCH-RSL10-101Q48-ABG
ON Semiconductor
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Radio SoC Ultr Low Pwr
1:¥59.6301
10:¥53.8671
25:¥51.4037
100:¥44.6463
3,000:¥32.5779
参考库存:37355

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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